半导体生产制程
硅晶片制造工艺大致分为晶体生长工艺和晶片加工工艺。
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多晶硅（矿块）
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单晶拉制（CZ法）
在CZ法中，将黑色加热器石墨坩埚，石英坩埚和多晶硅置于拉制装置中，在惰性气氛中在减压下加热和熔融，并附着晶种并逐渐提拉以生长单晶。
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形成单晶硅棒
生长形成的圆柱状单晶硅棒。直径尺寸有4寸、6寸、8寸与12寸（未加工晶棒直径并非标准直径）。
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周边研磨、切边
将单晶硅棒两头进行切割并对柱体进行研磨，最终形成直径为4寸、6寸、8寸与12寸的标准柱状体。加工指示晶体取向的平面，切角（取向平面，一般用于小尺寸晶圆）或凹槽加工（一般用于大尺寸晶圆）是晶圆指向的两种加工方式。
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完成外周加工后的铸锭形状如左图所示。（此图为带槽口的情况）。
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5
切片加工
用金刚石线锯切割法（用于大尺寸晶圆，折耗较小）或内刃刀切割法切割（用于小尺寸晶圆，折耗较大）单晶硅晶柱，形成单片晶圆。
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6
硅晶圆外圆加工
用金刚石砂轮将晶片的外圆磨成标准产品直径（4寸、6寸、8寸、12寸），然后将晶圆端面磨成弧形并倒角。
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7
粗研磨（双面机械抛光）
将单片晶圆放置在上下研磨夹具之间并进行旋转，同时研磨机对研磨夹具内进行磨料送料，进行两面抛光。
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CMP化学研磨（双面化学抛光）
在研磨机旋转夹具的同时进行晶圆的化学表面腐蚀以形成纳米级光洁表面。将晶圆放置在研磨机夹具中，同时由夹具进行特殊化学研磨剂供料，将晶圆表面进行纳米级的平整化处理。
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9
晶圆氧化处理
在扩散炉中进行热处理，通过高温氧化处理使单片晶圆表面形成氧化层。
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抛光（单面镜面抛光）
将其上附着有晶片的板压在其上附有砂布的旋转面板上，并且在供应磨料的同时，继续通过机械和化学结合作用进行抛光直至其成为镜面。
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清洗
用化学药剂和超纯水清洗晶圆，以进行下一步高洁净度、高良率的芯片制造制程。
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检查
对晶片表面进行光学外观检查，检查晶圆的平整度、厚度与氧化膜厚度。
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包装
将晶圆进行保护膜覆膜，并将覆膜完成的晶圆被放置在干净的晶圆运输箱中。
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出货
晶圆是在减震的运输箱中运输的，需要避免因轻微撞击而导致的破片损失。